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AIMW120R045M1 1

AIMW120R045M1 Datasheet Download - Infineon Technologies AG

AIMW120R045M1 CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET Features  Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide  Very low switching losses  Threshold-free on state characteristic  IGBT-compatible driving voltage (15V for turn-on)  0V turn-off gate voltage  Benchmark gate threshold voltage, VGS(th)=4.5V  Fully controllable dv/dt  Commutation robust body diode, ready..

DATASHEET 2021.02.27
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당뇨병, 항염증, 혈액순환, 면역력, 동맥경화, 당뇨, 다이어트, 노화방지, 혈관건강, 뼈건강, 스트레스, 항산화, 항암, 미스트롯2, 관절염, 고혈압, DataSheet, 골다공증, 항염, 해독,

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